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威廉姆斯说,一台用于气候建模的超级计算机使用的DRAM可能会在三到四年内读取或删除数据(一百万亿次)那令人生畏,但这就是我们必须做的事情才能与DRAM展开激烈竞争,他补充说尽管他们对忆阻器感到兴奋,但惠普仍然面临着许多挑战将其RRAM推向市场其中一个,HP的忆阻器是用氧化钛制成的,这种半导体并不常见,现在看来很难管理位于加利福尼亚州LosGatos的半导体市场研究公司ObjectiveAnalysis的分析师JimHandy表示,惠普对这种氧化钛的特性提出了异议,称已经制定了将其应用于半导体材料的方案,并且氧化钛与目前的互补金属兼容-用于构建集成电路的氧化物半导体(CMOS)技术.RacetrackmemoryRivalIBM采用不同的方法开发其下一代存储器,使用电子自旋来存储数据IBM将其称为赛道记忆,称之为赛道记忆因为它使用磁畴将信息存储在布置在硅晶片表面上的磁性材料列(纳米级跑道)中这种芯片不需要比电子更大的移动部件来读取和写入位,提高了速度和可靠性,IBM研究员和IBM研究中心的经理StuartParkin和Almaden的MagnetoelectronicsGroup在2009年6月的科学美国文章中写道:跑道内存快速通道中的数据单独使用水平跑道的芯片可能会超过闪存,在硅基板上创建垂直赛道的森林会产生三维存储芯片,其数据存储密度超过那些帕金说:有了硬盘,我们已经证明了原理是有效的他说,并补充说,他希望在三年内看到赛道记忆的原型,并在五年内看到它的设备其他方法与RRAM一样,有几种其他类型的随机存取存储器正在开发中,尽管它们相对不成熟,但没有相变随机存取存储器(PRAM),如RRAM和赛道,是非易失性的.PRAM是新颖的,因为它使用电流将数据存储在称为硫族化物的玻璃状物质中,其中原子在加热时重新排列硫族化合物也用于CD和DVD,它借助于加热和重排硫属元素原子的激光来存储信息磁阻RAM(MRAM)使用磁性元件而不是电荷或电流来存储数据虽然该技术的新发展试图使用电气开关来增加MRAM的密度,并使其成为更强的候选者,以便在许多其他RAM之前更换闪存NanoRAM(NRAM)通过在硅片上放置数十亿个碳纳米管来存储数据,目前正由马萨诸塞州Woburn和Nantero公司开​​发当施加静电力时,碳纳米管上下移动以表示0s或1s该公司表示,已经证明NRAM具有超越其他存储器类型的速度和容量,并且可以在现有的芯片制造设施(称为fabs)中制造去年,Nantero和洛克希德·马丁公司开发了一种耐辐射型NRAM,NASA在亚特兰蒂斯号航天飞机上进行了测试美国国家航空航天局将NRAM纳入特殊的自主测试配置,安装在航天飞机有效载荷舱后端的载体中这些公司表示,这项任务是开发高密度,非易失性碳纳米管和ndash记忆的重要的第一步航天应用.Nantero继续致力于NRAM,以便为商业市场做好准备,作为闪存和嵌入式存储器的替代品,这些存储器可用于各种不同类型的芯片,包括微处理器,专用集成电路(ASIC)和现场-可编程门阵列(FPGA)

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